| 王聪
，巩尊科
，王蜜
，王世雁
，陈姣姣.重复经颅磁刺激对脑卒中后工作记忆障碍的影响[J].神经损伤功能重建,2020,15(5):298-299 |
| 重复经颅磁刺激对脑卒中后工作记忆障碍的影响 |
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| 中文关键词: 脑卒中 工作记忆 磁共振波谱 重复经颅磁刺激 |
| 英文关键词: |
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| 中文摘要: |
| 目的：观察重复经颅磁刺激（rTMS）对脑卒中后工作记忆（WM）障碍的影响。方法：脑卒中后WM障
碍患者60例，随机分为观察组和对照组各30例。2组均予常规康复治疗，观察组另予rTMS治疗，2组患者
治疗前后分别进行数字顺背/倒背、n-back测试及MRS代谢物测定。结果：治疗前观察组与对照组的数字正
背/倒背、n-back及MRS检测神经代谢物的差异无统计学意义（P>0.05）。治疗后，对照组除数字正背成绩
外，数字倒背、1-back、2-back及NAA/Cr、Cho/Cr结果较治疗前差异无统计学意义（P>0.05）；观察组的数字正
背、数字倒背、1-back、2-back测试成绩分别为6(5,6)、4(3,4)、18(17,19)、16(16,18)分，治疗前后差异均有统计
学意义（P<0.05）；观察组的NAA/Cr结果为1.40(1.28,1.49)，较治疗前差异具有统计学意义（P<0.05），Cho/Cr
结果为1.34(1.28,1.37)，较治疗前差异无统计学意义（P>0.05）；观察组的数字倒背、1-back、2-back测试成绩及
NAA/Cr 与对照组相比，差异有统计学意义（P<0.05），2 组的数字正背及 Cho/Cr 差异无统计学意义（P> 0.05）。结论：rTMS可改善脑卒中后WM功能。 |
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